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トランジスタ・ダイオード

ブレッドボード基板 前面
国内で唯一リード挿入タイプのTO-92Sを生産しています。
ミドルパワークラスのSC-59ラインナップを充実させました。
ハイパワーパッケージTO-252,TO-220F製品開発で、高耐圧大電流製品で幅広いラインナップをカバーします。
AEC-Q101規格対応製品を拡大中です。

設計サポートツール   クロスリファレンス

トランジスタ(PNP,NPN)

低周波・高周波増幅用・スイッチング用・ミューティング用などのラインナップを提供しています。

MOS型電界効果トランジスタ(MOS-FET)

高速、低オン抵抗の特徴を持ったMOS-FETと、2素子を内蔵した複合製品をラインナップしています。

抵抗入りトランジスタ(PNP,NPN)

バイアス抵抗内蔵のトランジスタ素子で、セットの小型化が可能です。

複合トランジスタ

トランジスタ、抵抗入りトランジスタを組み合せて、同一パッケージに内蔵した製品です。

ダイオード

スイッチング用ダイオード1素子、2素子、4素子入りのラインナップを提供しています。

接合型電界効果トランジスタ(J-FET)

低周波、低雑音増幅、アナログスイッチに最適です。

ESD保護用ダイオード

外部インターフェイス回路のESD保護に最適です。

シリコン双方向スイッチング素子

双方向にスイッチング特性を有する素子で、各種サイリスタのトリガ用に最適です。