トランジスタ・ダイオード
国内で唯一リード挿入タイプのTO-92Sを生産しています。
ミドルパワークラスのSC-59ラインナップを充実させました。
ハイパワーパッケージTO-252，TO-220F製品開発で、高耐圧大電流製品で幅広いラインナップをカバーします。
AEC-Q101規格対応製品を拡大中です。
ミドルパワークラスのSC-59ラインナップを充実させました。
ハイパワーパッケージTO-252，TO-220F製品開発で、高耐圧大電流製品で幅広いラインナップをカバーします。
AEC-Q101規格対応製品を拡大中です。
トランジスタ（PNP,NPN）
低周波・高周波増幅用・スイッチング用・ミューティング用などのラインナップを提供しています。
MOS型電界効果トランジスタ（MOS-FET）
高速、低オン抵抗の特徴を持ったMOS-FETと、2素子を内蔵した複合製品をラインナップしています。
抵抗入りトランジスタ（PNP,NPN）
バイアス抵抗内蔵のトランジスタ素子で、セットの小型化が可能です。
複合トランジスタ
トランジスタ、抵抗入りトランジスタを組み合せて、同一パッケージに内蔵した製品です。
ダイオード
スイッチング用ダイオード1素子、2素子、4素子入りのラインナップを提供しています。
接合型電界効果トランジスタ（J-FET）
低周波、低雑音増幅、アナログスイッチに最適です。
ESD保護用ダイオード
外部インターフェイス回路のESD保護に最適です。
シリコン双方向スイッチング素子
双方向にスイッチング特性を有する素子で、各種サイリスタのトリガ用に最適です。